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共同创造鸿晔美好的未来

Creating a bright future for Hongye together

无论是博士、硕士及高级管理人员，还是战斗在生产、销售、科研、服务一线，用自己勤劳的双手，发挥自己聪明才智，不
断开创鸿晔事业的普通工人、管理人员、营销人员、普通科研工作者，都同样是鸿晔不断发展、不可或缺的人才。
我们希望，有更多的人加入鸿晔事业的行列，更多的人关注鸿晔的发展！

关注每一位鸿晔人的成长

重视员工个人价值的体现。让大家在为鸿晔工作的同时，个人事业有所成就、物质生活极大改善，营造一个有情感的大家庭，使大家在家的温情的感染下互相关心、互相支持、共同提高

团队风采

Team Style

招聘职位

Recruitment position

MEMS 传感器研发工程师（工业方向）

发布日期：2026-08-14

微波无源器件研发工程师（微带环形器/隔离器方向）

发布日期：2026-08-14

发布日期：2026-08-14

发布日期：2026-08-14

发布日期：2024-04-11

发布日期：2024-04-11

发布日期：2024-04-11

发布日期：2024-04-11

发布日期：2024-04-11

发布日期：2023-10-13

岗位职责:

1、独立负责C、X、Ku频段宽带微带环形器、隔离器的方案架构设计、电磁仿真、结构优化、参数迭代，完成器件从立项设计、仿真验证、样品调试到量产落地的全流程研发工作。
2、负责旋磁铁氧体材料选型、匹配结构设计、阻抗优化、宽带拓频设计，重点优化器件插损、隔离度、驻波比、带宽、温度稳定性等核心关键指标，满足高频射频系统适配需求。
3、对接器件生产工艺，熟悉微带环形器/隔离器量产制程，解决样品试制、批量生产中的工艺缺陷、指标偏差、一致性差等技术问题，沉淀标准化设计与工艺规范。
4、配合GaN功放芯片、射频整机系统完成器件匹配联调，优化整机射频链路性能，解决器件与功放适配过程中的干扰、匹配失配、频带偏移等问题，保障整机性能达标。
5、跟踪行业微波无源器件前沿技术、新型铁氧体材料、宽带设计方案，查阅国内外专业技术文献，持续开展技术总结、方案创新与技术迭代，突破高频宽带、高隔离、低插损设计难点。
6、输出完整的器件设计手册、仿真报告、测试报告、工艺指导文件，完成产品可靠性测试、高低温循环、老化验证，保障器件长期稳定工作。

岗位要求:

1、学历专业：硕士及以上学历，电磁场与微波技术、射频工程、集成电路、电子信息等相关专业。
2、具备独立器件研发攻坚能力，拥有成熟的微波无源器件项目落地经验。
3、核心技能：精通C/X/Ku频段微带环形器、隔离器核心设计原理，熟练掌握宽带拓频、阻抗匹配、电磁抑制、结构优化设计方法；熟悉铁氧体旋磁材料电磁特性、参数选型及器件工艺原理，可独立完成全流程设计调试。
4、工艺落地能力：熟悉国内微波无源器件主流生产工艺、制程规范、加工边界与量产要点，可独立对接工厂完成试制、整改、量产导入，具备良率优化、问题复盘与工艺迭代能力。
5、综合能力：具备扎实的中英文技术文献检索、阅读、分析与技术复用能力；善于技术总结沉淀、复盘迭代，具备独立创新思维，不局限于常规复刻设计，可自主突破器件性能瓶颈、优化设计方案。

岗位职责:

1、系统架构设计：负责雷达、飞行器导引头、频率源/频谱仪中频综产品的顶层架构设计（PLL/DDS/混合合成/直接RF合成等），完成指标分解、器件选型与方案可行性论证。
2、核心电路攻关：主导VCO、鉴相器、电荷泵、环路滤波器、开关矩阵、倍/分频链、混频器等关键模块的电路设计与仿真，完成高频/毫米波PCB layout及SI/PI/热协同优化。
3、指标与可靠性验证：负责相位噪声、杂散抑制、频率切换/锁定时间、长期稳定性、温漂、抗冲击振动等核心指标的建模、调试与优化；主导GJB/IEC环境适应性测试与EMC合规设计。
4、工程化与量产落地：解决屏蔽接地、装配工艺、测试Fixture一致性、产线标定等工程瓶颈，推动DFM/DFT落地，提升良率与批次一致性。
5、技术管理与传承：编制企业技术规范、调试SOP、故障模式库；指导中级工程师/技师；跟踪频综前沿技术（Xtalless PLL、数字预校正、直接RF合成等）并推动工程化。

岗位要求:

1、学历专业：硕士研究生及以上学历，电子信息工程、微波技术与射频集成电路、测控技术与仪器、通信工程等方向；博士优先。
2、工作经验：5年以上射频/微波/频率合成系统研发经验；至少完整主导过1个频综类产品从原理设计→样机调试→定型/量产的全流程项目。
3、架构与原理：精通Integer/Fractional-N PLL、DDS、混合合成架构；深刻理解相位噪声传递函数、杂散机理、环路稳定性判据、瞬态响应优化方法。
4、仿真与工具：熟练使用常用的仿真软件进行滤波仿真、环路建模/噪声仿真等；掌握S参数提取、谐波平衡、瞬态/噪声分析。
5、电路设计：独立完成VCO/缓冲放大/混频/滤波器/开关网络设计；熟悉SiGe/GaAs/CMOS RF工艺特性；掌握低噪声电源、隔离屏蔽、接地网络优化。
6、测试与排故：精通频谱仪、相位噪声测试仪、矢量网分、信号源、功率计的使用；能独立排查“间歇失锁、频偏漂移、杂散突增、温漂非线性”等复杂工程问题。

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