功放芯片 - 上海鸿晔电子科技有限公司

时钟产品

Clock products

频率
工作电压及功耗
输出波形
频率稳定度
频率调节特性
相位噪声 (Typical,@10MHz)
环境特性

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率范围		5	-	125	MHz	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
电压范围	3.3、5.0、12、定制			V	-
启动功耗	-	-	3.5	W	-
稳定功耗	-	-	1.5	W	稳定状态@25℃

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
正弦波	功率	0	-	15	dBm	负载：500
	谐波	-	-	-40	dBc
	杂散	-	-	-75	dBc
方波	高电平	1.8			V	负载：15pF
	低电平			0.3	V
	上升/下降沿时间			10	ns
	占空比	40	50	60	%

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
温度稳定度	±1	-	±1000	ppb	@25℃
短期稳定度	-	-	5	E-12	@10MHz
电压波动	-5	-	5	ppb	Vs±5%
负载波动	-5	-	5	ppb	Load±5%
日老化	士0.3	-	±5	ppb	连续工作30天后
年老化	30	-	1000	ppb	连续工作30天后
升温时间	-	-	10	minutes	@25℃

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
压控电压	±3	-	±10	V	-
频率调节范围	±0.1	-	±50	ppm	-
线性度	-	-	10%	-	-
斜率	-				-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
@1Hz	-	-95	-	dBc	-
@10Hz	-	-125	-	dBc	-
@100Hz	-	-145	-	dBc	-
@1kHz	-	-150	-	dBc	-
@10kHz	-	-155	-	dBc	-
@100kHz	-	-155	-	dBc	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
可选工作温度	-20℃~70℃;-40℃~80℃; -40℃~85℃;-55℃~85℃;-55℃~105℃;定制				-
存储温度	-55℃ to 125℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
国产化率	可实现100%国产化				-

JTM1000 产品封装

小体积
低功耗
温漂可达：10ppb@-40℃-85℃
JTM2000 产品封装

高温度稳定性
全程温漂可达2ppb
低相噪： -160dBc@1kHz
JTM3000 产品封装

SMD封装，便于客户装配
低高度，最小高度达7mm
JTM4000 产品封装

高温度稳定性
全程温漂可达1ppb
低相噪： -170dBc@1kHz@100M Hz
JTM5000 产品封装

高温度稳定性
全程温漂可达0 .5ppb
低相噪： -160dBc@1kHz@10MH
低老化，年老化率优于30ppb
JTM7000 产品封装

高温度稳定性，双恒温槽技术
全程温漂可达0.1ppb
低老化率：年老化率优于20ppb，可达5ppb
JTM8000 产品封装

高温度稳定性
高频全程温漂可10ppb
低相噪： -160dBc@1kHz,@10MHz
JTM9000 产品封装

1PPS高保持能力，24小时可保持5us内
高频全程温漂可达0.1ppb
高精度频率输出，频率准确度可达1E-11

频率
工作电压及功耗
输出
稳定度
相位噪声 (Typical,@100MHz)
频控
环境要求

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率范围		5-2025			MHz	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
电压范围	3.3、5、12、定制			V	-
启动功耗	-	-	0.5	W	-
稳定功耗	-	-	0.5	W	-

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
正弦波	功率	0	-	15	dBm	Load:500
	谐波	-	-	-30	dBc
	杂散	-	-	-75	dBc
方波	高电平	1.8			V
	低电平			0.3	V
	上升/下降沿时间			10	ns
	占空比	40	50	60	%

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
温度稳定度	-	-	1	ppm
短期稳定度	-	1	-	E-10	@10MHz
电压波动	±2	-	士10	ppb	Vs±5%
负载波动	±2	-	±10	ppb	Load±5%
日老化	±2	-	士10	ppb	连续工作30天后
年老化		-	1	ppm	连续工作30天后
频率稳定差	-	-	1.5	ppm	SMD封装2次回流焊后相对标称频率值

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
相位噪声	-	-85	-	dBc/Hz	SSB@10Hz
	-	-118	-		SSB@100Hz
	-	-145	-		SSB@1kHz
	-	-160	-		SSB@10kHz
	-	-165	-		SSB@100kHz

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率调节电压	0.0	-	5	V	-
电调频率范围	±3	-	±10	ppm
线性度	-	-	10	士%	-
斜率

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
可选工作温度	-20℃~70℃;-40℃~80℃; -40℃~85℃;-55℃~85℃;-55℃~105℃;定制				-
存储温度	-55℃ to 125℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
封装类型	SMD贴片，插针				-
国产化率	可实现100%国产化				-

5032封装产品封装

典型体积5.0×3.2×2.5mm
稳定度高并具备频率调节功能
7050封装产品封装

功耗低
体积小
DIP14 产品封装

小体积
低功耗
高频点
低噪声

频率
供电及功耗
输出特性
输出频率及守时特性
1PPS 输入
状态输入
状态指示
1pps 输出特性
状态输出
串行接口
环境条件

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率范围		5-2025			MHz	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
电压范围	3.3、5、12、定制			V
启动功耗	0.1	3.5	5	W
稳定功耗	0.1	1.3	3	W	室温

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
正弦波	功率	0	-	15	dBm	Load:500
	谐波	-	-	-30	dBc
	杂散	-	-	-75	dBc
方波	高电平	1.8			V
	低电平			0.3	V
	上升/下降沿时间			10	ns
	占空比	40	50	60	%

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
准确度	±1	-	±10	×10-1	锁定1小时后，24小时均值
温度特性 -55℃~+85℃	±1	-	±10	×10-9	1/2温循，参照GJB1648A-2011 相关规定
短稳	±5	-	±30	×10-1	温度稳定，无EMI/EMC及其其他干扰，通电一小时后测试
日老化	±2	-	±10	×10-10	最长通电30d后测试30d,参照 GJB1648A-2011相关规定
年老化	±10	-	±500	×10-9	最长通电30d后测试365d,参照GJB1648A-2011相关规定
年老化	-	-	1	ppm	连续工作30天后
频率偏差	-	-	1.5	ppm	SMD封装2次回流焊后相对标称频率值
跟踪精度	±10	-	±30	ns	接秒锁定后观察12小时
守时指标	±5	-	±100	us	有效跟踪2小时后，守时24小时

指标描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
波形	CMOS				-
高电压电平	2.4	-	3.3	V	-
低电压电平	-	-	0.4	V	-
脉冲宽度	0.001	-	500	ms	-
抖动偏差	-100	-	100	ns	1s抖动
上升沿时间	-	-	10	ns	-

指标描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
跟踪状态	2.8	-	3.3	V	负载<5mA
守时状态	-	-	0.4	V	负载<5mA

类别	指标要求	测试条件
快捕	从自由运行到与外部1pps同步，时间≤10min	上电后进入自由运行，外部1pps输入有效， 10min内完成同步
锁定	从自由运行到锁定，时间≤15min	外部1pps输入有效，输出1pps相位偏差小于规定值或频率准确度小于规定范围
保持	进入保持，时间≤5s	在锁定条件下，外1pps无输入或输入无效或使能脚置低电平0V

指标描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
波形	CMOS				-
高电平电压	3	3.3	3.5	V	-
低电平电压	-	-	0.4	V	-
上升沿时间	-	-	10	ns	-
脉冲宽度	0.1		500	ms	-

指标描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
稳定锁定状态下输出	3	3.3	3.5	V	负载<5mA
其他状态下输出	-	-	0.4	V	负载<5mA

指标描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
接收端高电平输入电压	2.7	-	3.6	V	-
接收端低电平输入电压	-	-	0.4	V	-
发送端高电平输入电压	2.7	-	-	V	-
发送端低电平输入电压	-	-	0.4	V	-
串口协议	115200-N-8-1				-

描述	最小值	典型值	最大值		单位	测试条件
可选工作温度	0℃~60℃; -40℃~70℃; 40℃~85℃;	0℃~70℃; -55℃~70℃; -55℃~85℃;定制		20℃~70℃; -40℃~80℃;		-
存储温度	-55℃ to 125℃					-
质量等级	工业级，普军级					-
国产化率	可实现100%国产化					-

2000封装图片

频率自校功能外同步信号有效
同步时间戳保持功能，可降低电台勤务时隙内同布的系统开销
具备自检和上报功能
9000封装图片

频率自校功能外同步信号有效
同步时间戳保持功能，可降低电台勤务时隙内同布的系统开销
SMD封装图片

超低功耗，功耗小于0.07w
频率自校功能外同步信号有效
同步时间戳保持功能，可降低电台勤务时隙内同布的系统开销
SMD封装图片

超低功耗，功耗小于0.07w
频率自校功能外同步信号有效
同步时间戳保持功能，可降低电台勤务时隙内同布的系统开销

频率
工作电压及功耗
输出波形
频率稳定度
相位噪声 (Typical,@10MHz)
频控
机械振动
环境条件

参数最小值典型值最大值单位条件

频率范围 10-2025 MHz -

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
供电电压	3.3、5、12、定制			V	-
供电电流	-	-	30	mA	-

参数		最小值	典型值	最大值	单位	条件
正弦波	功率	0	-	15	dBm	Load:500
	谐波	-	-	-40	dBc
	杂散	-	-	-75	dBc
方波	高电平	2.8			V	15pF
	低电平			0.3	V
	上升/下降沿时间			10	ns
	占空比	40	50	60	%

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
准确度		-	±10	ppm	锁定1小时后，24小时均值
温度特性 -40℃~+85℃	-	-	±15		1/2温循，参照GJB1648A-2011相关规定
年老化		-	1		连续工作30天后
频率偏差	-	-	1.5		SMD封装2次回流焊后相对标称频率值

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
相位噪声	-	-120	-	dBc/Hz	SSB@100Hz
	-	-145	-		SSB@1kHz
	-	-165	-		SSB@10kHz
	-	-170	-		SSB@100kHz

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
电调频率范围	±20	-	-	ppm
线性度	正斜率

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
冲击	半正弦波50g 11ms/3个方向：				IEC 68-2-27 Test Ea
正弦振动	加速度：10g,振幅：0.75mm,10Hz~2000Hz;30分钟一个循环，每个方向保持1小时(X,Y,Z3方向);				IEC 68-2-06 Test Fc
跌落	自由落体在100cm高度混凝土或钢表面				IEC 68-2-32

描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
可选工作温度	-20C~70℃; -40C~85℃;	-55C~70℃ -55℃~85℃;定制			-
存储温度	-55℃ to 125℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
封装类型	SMD贴片，插针				-
国产化率	可实现100%国产化				-

VCXO 产品封装

小体积
低功耗
低噪声

频率
工作电压、电流及负载
输出
稳定度
相位噪声 (Typical,@10MHz)
频控
机械振动
环境条件

参数最小值典型值最大值单位条件

频率范围 5-2025 MHz -

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
供电电压	3.3、5.0、12、定制			V	-
启动功率	-	-	1.6	W	-
稳定功率	-	-	0.6	W	稳定状态@25℃
负载	-	50	-	Ω	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
输出波形	正弦波			-	-
输出功率	5	-	-	dBm	-
谐波	-	-	-30	dBc	-
输出波形	方波			-	-
高电平	2.4	-	-	V	CMOS,TTL,P/ECL
低电平	-	-	0.3	V	CMOS,TTL,P/ECL
占空比	40	-	60	%	AtDC Reference
上升/下降时间	-	-	10	ns	20%-80%Vout

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
日老化	-	-	1	±ppb	连续工作30天后
年老化	-	-	100	±ppb	连续工作30天后
升温	-	-	30	S	≤±500ppb
升温	-	-	20	±ppb	上电10min~1H频率变化
温度稳定度	-	-	50	±ppb	参考频率@25℃

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
相位噪声	-	-90	-	dBc/Hz	SSB@10Hz
	-	-120	-		SSB@100Hz
	-	-150	-		SSB@1kHz
	-	-170	-		SSB@10kHz
	-	-170	-		SSB@100kHz
	-	-170	-		SSB@1MHz

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率调节电压	0.0	2.5	5.0	V	-
电调频率范围	-	-	-2	±ppm	@0V
电调频率范围	2	-	-	±ppm	@3V
线性度	-	-	10	±%	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
冲击	半正弦波50g 11ms/3个方向：				IEC 68-2-27 Test Ea
振动	加速度：10g,振幅：0.75mm,10Hz~2000Hz;30分钟一个循环，每个方向保持1小时(X,Y,Z3方向);				IEC 68-2-06 Test Fc
跌落	自由落体在100cm高度混凝土或钢表面				IEC68-2-32

描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
可选工作温度	-20℃~70℃; 40℃~85℃;	-55℃~70℃; -55℃~85℃;			-
存储温度	-55℃ to 85℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
封装类型	SMD贴片，插针				-
国产化率	可实现100%国产化				-

小体积低功耗 OCXO 产品封装

小体积
低功耗

频率
工作电压、电流及负载
输出
工作电压、电流及负载
相位噪声 (Typical,@10MHz)
频控
机械振动
环境条件

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率范围	5	100	120	MHz	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
供电电压	3.3、5.0、12、定制			V	-
启动功率	-	-	400	mA	-
稳定功率	-	-	200	mA	稳定状态@25℃
负载	-	50	-	Ω	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
输出波形	正弦波			-	-
输出功率	14	-		dBm	-
谐波	-	-	-30	dBc	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
初始频差	-	-	100	±ppb	频率调节电压@1.5±0.2V
初始频差	99999990.0	-	100000010.0	Hz	频率调节电压@1.5±0.2V
工作温度	-40	-	70	℃	-
日老化	-	-	2	ppb	连续工作30天后
年老化	-	-	200	ppb	连续工作30天后
升温	-	-	30	ppb	上电10min~1H频率变化
频率VS电源波动	-	-	5	ppb	Vs±5%
频率VS负载波动	-	-	5	ppb	Load±5%
温度稳定度	-	-	100	ppb	参考频率@25℃
短温	-	-	0.00E+00	-	1s

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
相位噪声	-	-78.7	-	dBc/Hz	SSB@1Hz
	-	-110	-		SSB@10Hz
	-	-143.9	-		SSB@100Hz
	-	-171	-		SSB@1kHz
	-	-184.2	-		SSB@10kHz
	-	-184.6	-		SSB@100kHz
	-	-183.4	-		SSB@1MHz

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率调节电压	0.0	5.0	10.0	V	-
电调频率范围	-	-	-2	ppm	@0V
电调频率范围	2	-	-	ppm	@10V
线性度	-	-	10	士%	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
冲击	半正弦波50g 11ms/3个方向：				IEC 68-2-27 Test Ea
振动	加速度：10g,振幅：0.75mm,10Hz~2000Hz;30分钟一个循环，每个方向保持1小时(X,Y,Z3方向);				IEC 68-2-06 Test Fc
跌落	自由落体在100cm高度混凝土或钢表面				IEC 68-2-32

描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
可选工作温度	-20℃~70℃; -40℃~85℃;	-55℃~70℃; -55℃~85℃;			-
存储温度	-55℃ to 100℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
封装类型	SMD贴片，插针				-
国产化率	可实现100%国产化				-

超低相噪产品封装

高抗振
超低噪声

频率
工作电压、电流及负载
输出
稳定度
相位噪声 (Typical,@100MHz)
频控
环境条件

参数	最小值	典型值		最大值	单位	条件
频率范围	-	100		-	MHz	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
供电电压	3.3、5.0、12、定制			V	-
启动功率	-	-	400	mA	-
稳定功率	-	-	150	mA	-
负载	-	50	-	Ω	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
输出波形	正弦波			-	-
输出功率	5	-	12	dBm	-
谐波	-	-	-30	dBc	-

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
初始频差	99999990.0	-	100000010.0	Hz	频率调节电压@4.5±0.2V
初始频差	-	-	100	±ppb	频率调节电压@4.5±0.2V
工作温度	-45	-	80	℃	-
年老化	-	-	100	±ppb	连续工作30天后
温度稳定度	-	-	100	ppb	参考频率@25℃
升温	-	-	30	S	<1ppm@25℃
升温	-	-	30	±ppb	上电10min-1Hz频率变化
频率VS电源波动	-	-	5	±ppb	Vs±5%
频率VS负载波动	-	-	5	±ppb	Load±5%

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
静态相位噪声	-	-100	-	dBc/Hz	SSB@10Hz
	-	-130	-		SSB@100Hz
	-	-160	-		SSB@1kHz
	-	-170	-		SSB@10kHz
	-	-170	-		SSB@100kHz
振动状态下相位噪声	-	-145	-		SSB@1kHz
	-	-160	-		SSB@10kHz
	-	-165	-		SSB@100kHz

参数	最小值	典型值	最大值	单位	条件
频率调节电压	0.0	4.5	9.0	V	-
电调频率范围	-3	-	-1	mA	@0V
电调频率范围	1	-	3	mA	@9V
线性度	-	-	10	±%	-

描述	最小值	典型值	最大值	单位	测试条件
可选工作温度	-20℃~70℃; 40℃~85℃;	-55℃~70℃; -55℃~85℃;			-
存储温度	-55℃ to 100℃				-
质量等级	工业级，普军级				-
封装类型	SMD贴片，插针				-

高抗振系列产品封装

抗振能力达到
可靠性好

跳频滤波器

Frequency hopping filter

大功率跳频滤波器

超低损耗
小体积
优越的带外抑制
开关滤波器组

损耗小，宽带宽
调谐速度快
优越的抗干扰能力
跳频合路器

小插损
大功率
高隔离度
可实现多路信号合路
跳频陷波器

高阻带抑制
低插损
多陷波点任意切换
小功率电调滤波器

低功耗
超小体积
超宽频段覆盖
优越的抗干扰能力
小功率跳频滤波器

高选择性
2W 平均输入功率
超低灵敏度
可靠性强
调谐时间5us
中功率跳频滤波器

体积小重量轻
功率容量大
优越的抗干扰
优越的带外抑制
芯片滤波器组

宽带高抑制
小体积、低功耗
良好的温度稳定性
芯片滤波器

抑制高、损耗低
体积小、质量轻
良好的温度稳定性

功放芯片

Power amplifier chip

HYP2406TR TR_X射频前端芯片
HYP1315TR TR_X射频前端芯片
HYP1318TR TR_X射频前端芯片
功率放大器模块

实现射频信号功率放大功能
功放管过温，过流，驻波状态上报功能
功放在高，中，低段具有全相位稳定性
功率放大器

高增益
大功率
信息储存功能与数据采样功能
TR组件

射频信号功率放大功能
功放管过温，过流，驻波状态上报功能
信息储存功能与数据采样功能

天线

antenna

小功率天线

工作频率宽
高增益
不圆度好
可靠性强
大功率天线

工作频率宽
高增益
不圆度好
可靠性强
功率容量大
传统全线天线

传统全向天线泛指由单极、偶极或者单极加载、偶极加载形式的全向天线，此类天线在水平面表现为近360°的均匀辐射，垂直面根据增益不同，表现出不同的波束宽度，多应用在手持背负车载台上。
便携式定向天线

便携定向天线工作时展开辐射体与反射板，不工作时候，可以收缩起来，具有高增益，低副瓣，便于携带的优点。
同时同频全双工全向天线
全向多天线

射频前端

5G自组网终端通信

高增益，大功率
手持台

小体积、sip工艺、低功耗；
具有收发增益智能控制网络，发射时可对天线口功率进行精细化管理提升手持台待机时常。
具有智能匹配滤波网络，对末级功放进行动态匹配提高功放效率，又对天线进行频率重构提升天线增益，对V段改善效果及其明显，同时包含谐波滤波功能。